シリコンカーバイド情報

Silicon Carbide Information - Technical Centers

シリコンカーバイド テクニカルセンターへようこそ

これらのページは、あらゆる経験レベルのパワーエレクトロニクス エンジニア向けに設計されており、シリコンカーバイドの特性および半導体アプリケーションでのメリット、一般的なシリコンカーバイドデバイス、そしてシリコンカーバイドデバイスがシリコンベースのデバイスよりも優れている点について参照情報を掲載しています。さらに、こちらでは、将来のデバイス設計サイクルを短縮できるように、ハイエンドのシリコンカーバイド製品の評価キット参照設計をご利用いただけます。これらのリソースは、弊社のシリコンカーバイド製品を補完するものです。

シリコンカーバイド一般情報センター

  • シリコンカーバイド一般情報
  • シリコンカーバイドデバイスの材料特性とパワートランジスタ設計のトレードオフについて、詳しく理解することができます。

シリコンカーバイド アプリケーションサポート

  • ゲート駆動評価プラットフォーム
  • 管理された継続的なスイッチング試験環境におけるシリコンカーバイド ゲート駆動コンポーネントの動的パフォーマンスを評価します。
 

シリコンカーバイドに関するニュース

  • SiC ベースの電力変換装置の設計サイクルを加速するリテルヒューズのゲート駆動評価プラットフォーム
    1/14/20
    詳細
  • リテルヒューズが新しいパワーセミコンダクタ組立て施設建設を着工
    6/25/19
    詳細
  • PCIM Europe 2019:リテルヒューズの新しい 1.000 V ウルトラジャンクション X クラス HiPerFET™ MOSFET
    5/7/19
    詳細
  • リテルヒューズが APEC 2019 で 650V SiC ショットキーダイオードの新しいパッケージサイズを発表、電流定格は 6A~40A
    3/19/19
    詳細
  • リテルヒューズが Applied Power Electronics Conference & Exposition でパワーセミコンダクタ製品を展示
    3/18/19
    詳細
  • GEN2 650V SiC Schottky ショットキーダイオードが効率、信頼性、熱管理を向上
    2/11/19
    詳細
  • 流星のような速さで広がるシリコンカーバイド
    1/7/19
    ビデオを見る
  • ポッドキャスト:スジット・バネルジー:ラボから製造工場、エネルギー効率に優れたシリコンカーバイドセミコンダクタへ
    11/8/18
    詳細
  • リテルヒューズ、モノリス・セミコンダクターの買収を完了
    11/1/18
    詳細
  • リテルヒューズが 1700V、1 オーム SiC MOSFET を発表
    9/24/18
    詳細
  • インタビュー:リテルヒューズ、IXYS 社買収、SiC および非 SiC コンポーネントの未来を語る
    7/6/18
    詳細
  • リテルヒューズ、PCIM 2018 にて SiC パワーモジュールの積極的な展開をアピール
    6/8/18
    ビデオを見る
  • SiC ショットキーダイオードでエネルギーコストと必要なスペースを縮小
    6/5/18
    詳細
  • リテルヒューズが、PCIM ヨーロッパ 2018 で拡大中のパワーセミコンダクタ製品群を紹介
    5/22/18
    詳細
  • PSDcast:SiC MOSFET ならではの特典
    5/8/18
    ポッドキャストを聞く
  • リテルヒューズ、APEC 2018 で超低オン抵抗の 1200V SiC MOSFET を発表
    3/6/18
    詳細
  • リテルヒューズ、APEC 2018 でパワーセミコンダクタ製品群の拡大を発表
    3/1/18
    詳細
  • リテルヒューズ、IXYS 社の買収を完了
    1/17/18
    詳細
  • リテルヒューズが SiC ショットキーダイオードの製品ラインを拡大 - スイッチングロスを低減、効率・堅牢性アップ
    1/15/18
    詳細
  • リテルヒューズ初の SiC MOSFET がパワーエレクトロニクスの超高速スイッチングを可能に
    10/2/17
    詳細
  • リテルヒューズ、PCIM ヨーロッパ 2017 にて「今見るパワーセミコンダクタの未来」 を公開
    5/30/17
    詳細
  • 新しいプラットフォームを利用した初の製品となるリテルヒューズの 1200V SiC ショットキーダイオード、スイッチングロスの減少と効率の向上に貢献
    5/16/17
    詳細
  • リテルヒューズ、「TechTalks LIVE!」 シリーズを PCIM ヨーロッパ 2017 にて配信
    5/12/17
    詳細
  • リテルヒューズが PCIM ヨーロッパ 2017 でスピードと柔軟性、アジリティを重視したシリコンカーバイド ショットキーダイオードを発表
    5/11/17
    詳細
  • リテルヒューズとモノリス・セミコンダクター、大盛況のうちに APEC 2017 の幕を閉じて PCIM Europe 2017 向けて準備を開始
    3/30/17
    詳細
  • リテルヒューズおよびモノリス・セミコンダクター、APEC 2017 にて新しい SiC パワーセミコンダクタ技術を披露
    3/23/17
    詳細
  • 従来のスイッチングダイオードよりも優れたリテルヒューズの超低順方向電圧降下ショットキーバリア整流器
    5/10/16
    詳細
  • リテルヒューズ、 PCIM ヨーロッパ 2016 で「保護、制御、感知」市場向けアプリケーション ソリューションを発表
    5/4/16
    詳細
  • リテルヒューズ、シリコンカーバイド技術に投資
    12/17/15
    詳細
  • シリコンカーバイドのパフォーマンスの活用
    詳細