シリコンカーバイド情報

Silicon Carbide Information - Technical Centers

Welcome to the Silicon Carbide Technical Center

Designed for power electronics engineers of all experience levels, these pages feature reference information about silicon carbide properties and their benefits in semiconductor applications, common silicon carbide devices, and advantages of silicon carbide devices over silicon-based devices. Additionally, evaluation kit reference designs for our high-end silicon carbide products are available here to accelerate future design cycles. These resources serve as a complement to our silicon carbide products.

Silicon Carbide General Information Center

Silicon Carbide Application Support

 

Silicon Carbide News

  • リテルヒューズ、APEC 2018 で超低オン抵抗の 1200V SiC MOSFET を発表
    3/6/18
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  • リテルヒューズ、APEC 2018 でパワーセミコンダクタ製品群の拡大を発表
    3/1/18
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  • リテルヒューズ、IXYS 社の買収を完了
    1/17/18
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  • リテルヒューズが SiC ショットキーダイオードの製品ラインを拡大 - スイッチングロスを低減、効率・堅牢性アップ
    1/15/18
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  • リテルヒューズ初の SiC MOSFET がパワーエレクトロニクスの超高速スイッチングを可能に
    10/2/17
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  • リテルヒューズ、PCIM ヨーロッパ 2017 にて「今見るパワーセミコンダクタの未来」 を公開
    5/30/17
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  • 新しいプラットフォームを利用した初の製品となるリテルヒューズの 1200V SiC ショットキーダイオード、スイッチングロスの減少と効率の向上に貢献
    5/16/17
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  • リテルヒューズ、「TechTalks LIVE!」 シリーズを PCIM ヨーロッパ 2017 にて配信
    5/12/17
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  • リテルヒューズが PCIM ヨーロッパ 2017 でスピードと柔軟性、アジリティを重視したシリコンカーバイド ショットキーダイオードを発表
    5/11/17
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  • リテルヒューズとモノリス・セミコンダクター、大盛況のうちに APEC 2017 の幕を閉じて PCIM Europe 2017 向けて準備を開始
    3/30/17
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  • リテルヒューズおよびモノリス・セミコンダクター、APEC 2017 にて新しい SiC パワーセミコンダクタ技術を披露
    3/23/17
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  • 従来のスイッチングダイオードよりも優れたリテルヒューズの超低順方向電圧降下ショットキーバリア整流器
    5/10/16
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  • リテルヒューズ、 PCIM ヨーロッパ 2016 で「保護、制御、感知」市場向けアプリケーション ソリューションを発表
    5/4/16
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  • リテルヒューズ、シリコンカーバイド技術に投資
    12/17/15
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