リテルヒューズ、APEC 2018 で超低オン抵抗の 1200V SiC MOSFET を発表

電力変換システムにおける超高速スイッチングでシリコン MOSFET と IGBT を凌ぐ設計

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シカゴ、2018年3月6日 - 回路保護分野におけるグローバルリーダーである Littelfuse, Inc. およびテキサスに本拠地を構えるシリコンカーバイド技術開発企業、モノリス・セミコンダクター社は本日、1200V シリコンカーバイド (SiC) N-チャンネル、強化型 MOSFET を 2 種追加し、第一世代のパワーセミコンダクタデバイス製品群をさらに拡充したことを発表しました。この新しい SiC MOSFET は、工業および自動車市場向けのパワーセミコンダクタを開発するべく2015年にリテルヒューズがモノリスと締結した戦略的パートナシップによる最新製品となります。発表は Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC 2018) のリテルヒューズブースにて行われました。

LSIC1MO120E0120 および LSIC1MO120E0160 SiC MOSFET は、120 ミリオームと 160 ミリオームレベルの超低オン抵抗 (RDS(ON)) をそれぞれ提供します。SiC MOSFET は、パワーセミコンダクタのスイッチとして使用できる設計です。さまざまな電力変換システムに幅広く対応し、ブロック電圧、特定のオン抵抗、接合容量において他のシリコン MOSFET よりもはるかに優れた性能を発揮します。また、同様の定格電流やパッケージのシリコン IGBT といった従来の電力トランジスタソリューションを凌駕する高動作電圧と超高速スイッチングを合わせて実現します。

新しい SiC MOSFET の主な用途は以下の通りです。

  • 電気自動車
  • 工業機械
  • 再生可能エネルギー（ソーラーインバータなど）
  • 医療機器
  • スイッチモード電源
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • モータードライブ
  • 高電圧 DC/DC コンバータ
  • 誘導加熱

リテルヒューズのパワーセミコンダクタ担当製品マーケティングマネージャー、マイケル・ケッテラーは次のように述べています。「この新型 SiC MOSFET は電力コンバータ設計者にとって、従来のシリコンベースのトランジスタに代わる最先端の選択肢となります。本来備わっている材料特性と超高速スイッチング機能で、出力密度改善、効率向上、構成部品コスト削減など、様々な点から設計の最適化を図ることが可能です。」

新しい 1200V SiC MOSFET による主な利点は以下の通りです。

  • システムレベルで受動フィルター部品が減ることにより、 高周波 / 高効率のアプリケーション向けに最適されたデザインにおいて、出力密度が向上する
  • 極めて低いゲート電荷と出力キャパシタンスが、超低オン抵抗と相まって、非常に低い電流消費を実現し、効率を向上させるとともに、必要となる冷却技術の規模や複雑さを軽減する。 

ご購入
LSIC1MO120E0120 および LSIC1MO120E0160 SiC MOSFET は、450 個入りチューブの TO-247-3L パッケージで提供されます。サンプルのご請求は、リテルヒューズの世界各地の正規販売代理店を通じてお申し込みください。リテルヒューズの販売代理店一覧は littelfuse.com にてお確かめください。

詳細情報
詳しい情報は LSIC1MO120E0120 および LSIC1MO120E0160 SiC MOSFET の製品紹介ページをご覧ください。技術的なご質問は、リテルヒューズのパワーセミコンダクタ担当製品マーケティングマネージャー、マイケル・ケッテラー (　TMicun@littelfuse.com) まで Eメールにてお問い合わせください。

リテルヒューズ会社案内
1927年創業のリテルヒューズは、電力制御とセンサー技術におけるプラットフォームの発展に貢献する回路保護分野の世界的大手企業です。ヒューズ、セミコンダクタ、ポリマー、セラミックス、リレーおよびセンサーといった製品を必要とする電子機器、自動車および工業市場向けにサービスを提供しています。また、世界 50 ヵ所以上の拠点に 11,000 名以上の従業員を抱えています。詳細については弊社ウェブサイト Littelfuse.com をご覧ください。

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