MOSFET
X2
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SMPS のメインスイッチングトランジスタ
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低 Rds(on):低ゲート電荷、高耐久性 dv/dt
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IGBT
MIXA、MIXG
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スイッチング電源
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薄いウエハーを使用した頑丈な設計:短絡定格 10μs、低ゲート電荷:低 EMI、競争力のある低 Vce(sat)
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ダイオードモジュール
SP3213, PESD
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スイッチング電源 |
薄型ウエハー技術を使用した頑丈な設計:短絡定格 10μs、低ゲート電荷:低 EMI、競争力あり
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ダイオードアレイ
SP1012、SP1003、AQxx-02HTG
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高精度の電子部品を電圧過渡から保護する
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超低キャパシタンス:コンパクトなフォームファクター:低クランピング電圧、低リーク電流:業界最小フットプリントのものあり(0201) |
TVS ダイオード
SMCJ, P6KE, P6SMB
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高精度の電子コンポーネントを電圧過渡から保護する |
600 W ピークパルス容量:ガラスパシベーションされたチップジャンクション |
ポリマー ESD サプレッサ
PGB10603, PGB10402
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ユーザーによる ESD 事象から Wi-Fi チップセットを保護する |
超低キャパシタンス:コンパクトなフォームファクター:低リーク電流:高速応答 |
TVS アレイ
SPXX, SACB, SMAJ, SMBJ, PESD, SP3213, SM712
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IC を ESD から保護する |
優れたクランプ機能、I/O あたり 1.0 pF の低キャパシタンス |
ゲートドライブ
IX4340 |
パワー MOSFET 用の ハイサイド / ローサイドゲートドライバ
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最大 5 A のソーシングとシンクが可能 |
SCR
SJxx08xSx/SJxx08xx |
障害時に電気機械式リレーをトリガーして 電気接点を切断する
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最大 600V の電圧に対応: 最大 100A の高サージ対応
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MOV
LA, C-III, UltraMOV |
落雷や AC ラインでのその他電圧過渡から電源ユニットを保護する |
さまざまな耐サージ仕様に対応可: 40 J 〜 530 J(2mS)
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