IXFK64N60Q3 - Q3-Class シリーズ

シリーズ: Q3-Class
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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ TO-264 3 H 4R 1W2N 3L 画像
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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

Q3 クラスシリーズのパワー MOSFET は、抜群の電力スイッチング性能と優れた熱特性、強化されたデバイスの耐久性と高いエネルギー効率を発揮するデバイスをエンドユーザーに幅広く提供します。200V-1000V のドレインソース間定格電流と、10A-100A のドレイン電流定格を備えた Q3-クラスシリーズは、低オンステート抵抗 (Rdson) とゲート電荷 (Qg) を最適に組み合わせ、デバイスの伝導およびスイッチング損失の両方を大幅に低下させます。

電力スイッチング性能およびデバイスの耐久性は、実績ある HiPerFETTM プロセスを活用し、デバイスの整流 dV/dt 定格 (最大 50V/ns) を強化しながら、低い逆回復電荷 (Qrr) を実現する高速内部整流器を備えたデバイスを作り出すことにより、さらに強化されています。

 

特長:

  • シリコン面積あたりの低 Rdson
  • 低 Qgおよび Qgd
  • 優れた dV/dt 性能
  • 高速スイッチング
  • 高速内部整流器
  • 低い内部ゲート抵抗
  • 高アバランシェエネルギー性能
  • 優れた熱性能

アプリケーション:

  • 力率補正
  • 充電器
  • スイッチング電源および共振モード電源
  • サーバーおよび電気通信用電力システム
  • アーク溶接
  • プラズマ切断
  • 誘導加熱
  • 太陽光発電システム
  • モーター制御

メリット:

  • 簡単な取り付け
  • 高出力密度
  • 省スペース
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