N チャネル MOSFET 高速内部ダイオード搭載 (HiPerFET)

Polar™

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100V - 高速内部ダイオード（HiPerFET）搭載 1200V N チャネル パワー MOSFET

V_DSS（V）：100、150、200、250、300、500、600、800、900、1000 詳細

R_DS(ON)、max @ 25 ℃（Ω）： 0.0055、0.0065、0.0075、0.009、0.0105、0.011、0.013、0.014、0.015、0.016 詳細

I_D、cont @ 25 ℃（A）： 0.7、2.1、2.3、3.5、4、5、6、7、9、10 詳細

Polar2™

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高速内部ダイオード（HiPerFET）搭載 500V N チャネル パワー MOSFET

V_DSS（V）： 500

R_DS(ON),max @ 25 ℃（Ω）： 0.043、0.055、0.12、0.145、0.27

I_{D, cont} @ 25 ℃（A）： 24、42、52、68、94、120

Polar3™

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300V - 高速内部ダイオード（HiPerFET）搭載 600V N チャネル パワー MOSFET

V_DSS（V）： 300、500、600

R_DS(ON)、max @ 25 ℃（Ω）： 0.0145、0.016、0.019、0.027、0.036、0.039、0.043、0.05、0.056、0.068 詳細

I_D、cont @ 25 ℃（A）： 4、5、7、8、14、16、20、22、26、28 詳細

Q クラス

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100V - 高速内部ダイオード（HiPerFET）搭載 1000V N チャネル パワー MOSFET

V_DSS（V）： 100、200、300、500、600、800、900、1000

R_DS(ON)、max @ 25 ℃（Ω）： 0.015、0.02、0.022、0.028、0.04、0.06、0.08、0.1、0.12、0.14 詳細

I_D、cont @ 25 ℃（A）： 2.2、3.5、4、6、7、12、15、16、18、20 詳細

Q2-Class

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500V - 高速内部ダイオード（HiPerFET）搭載 1000V N チャネル パワー MOSFET

V_DSS（V）： 500、600、800、1000

R_DS(ON)、max @ 25 ℃（Ω）： 0.06、0.065、0.066、0.08、0.088、0.16、0.22、0.24、0.25、0.28 詳細

I_D、cont @ 25 ℃（A）： 9.5、14、28、29、30、38、50、55、66、70 詳細

Q3-Class

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200V - 高速内部ダイオード（HiPerFET）搭載 1100V N チャネル パワー MOSFET

V_DSS（V）： 200、300、500、600、800、1000、1100

R_DS(ON)、max @ 25 ℃（Ω）： 0.04、0.049、0.054、0.065、0.072、0.075、0.08、0.085、0.094、0.095 詳細

I_D、cont @ 25 ℃（A）： 10、15、18、23、24、25、28、30、32、35 詳細

スタンダード

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60V - 高速内部ダイオード（HiPerFET）搭載 1200V N チャネル パワー MOSFET

V_DSS（V）：60、70、85、100、150、200、250、300、500、600 詳細

R_DS(ON)、max @ 25 ℃（Ω）： 0.003、0.004、0.0044、0.005、0.006、0.007、0.008、0.01、0.011、0.012 詳細

I_D、cont @ 25 ℃（A）： 3、6、7、9、10、11、12、12.5、13、15 詳細