SIC MOSFET in SOT227 シリーズ - SOT227パッケージのSiC MOSFET

シリーズ: SIC MOSFET in SOT227
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リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

産業グレードのシングルスイッチ SiC MOSFET は、4 コネクター、UL 認定 SOT227B パッケージに内蔵され、3000V の絶縁(1s)を提供します。ケルビン接続ピンを備え、良好なパワーサイクル特性、高速かつ低損失のスイッチング特性を有しているため、高速産業用スイッチモード電源に最適です。

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Catalog #StatusVDSS (V)Rds(on) max @ 25°C (mΩ)ID,cont @ 25 ℃ (A)RthJC (K/W) (Diode)TJ Max (°C)Package TypeConfigurationQualificationUL listedIsolation voltage (V)Part DatasheetPartner ECAD ModelsSamplesCompare
 
カタログ番号状態VDSS (V)RDS(ON)、最大値 @ 25°C (mΩ)ID,cont @ 25 ℃(A)RthJC (K/W) (ダイオード)最大 TJ (°C)パッケージタイプ構成認定規格UL 規格認定分離電圧 (V)データシートパートナー ECAD モデルサンプル比較する
 
IXFN55N120SK Active120042540.71175Nチャネル工業E728732500Part IXFN55N120SK注文
IXFN75N120SK Active120027750.57175Nチャネル工業E728732500Part IXFN75N120SK注文
IXFN130N90SK Active900121420.4175SOT-227B (minibloc)Nチャネル工業E728732500Part IXFN130N90SK注文
IXFN27N120SK Active120098271175SOT-227B (minibloc)Nチャネル工業E728732500Part IXFN27N120SK
IXFN50N120SIC Not for New Designs120047500.55175SOT-227B (minibloc)Nチャネル工業E728732500Part IXFN50N120SIC
IXFN50N120SK Not for New Designs120048500.6175SOT-227B (minibloc)Nチャネル工業E728732500Part IXFN50N120SK
IXFN70N120SK Not for New Designs120034700.45175SOT-227B (minibloc)Nチャネル工業E728732500Part IXFN70N120SK
IXFN90N170SK Phase Out/Obsolete170090900.22175SOT-227B (minibloc)Nチャネル工業E728732500Part IXFN90N170SK
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