LGD18N40ATH シリーズ - 点火 IGBT、N-チャンネル、18 A、400 V

シリーズ: LGD18N40ATH
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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ(IGBT)は、ESD および過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケーションに利用されます。主に点火や直接燃料噴射、または高電圧や高電流でのスイッチングが必要な箇所で使用されます。このデバイスは、標準 DPAK 点火 IGBT デバイス、NGD15N41CLT4 の機能を大幅に強化したものです。また、より高い非クランプ誘導性スイッチング(UIS)エネルギーと、より低いコレクタエミッタ飽和電圧、Vce(on) を提供します。

特長:

  • より小さいフットプリントと基板の省スペース化を可能にする DPAK パッケージ
  • 非クランプ誘導性スイッチング(UIS)の面積当たりエネルギーを強化する新しい設計
  • 温度補償ゲートコレクタ電圧クランプが負荷応力を制限
  • 統合ゲートエミッタ ESD 保護
  • 論理レベルのマイクロプロセッサデバイスの電源負荷に対する低い閾値電圧
  • 低飽和電圧
  • 高いパルス電流対応能力
  • ゲート抵抗およびゲート - エミッタ抵抗をオプションで選択可能
  • エミッタバラスティングによる短絡保護

アプリケーション:

  • 点火システム

最終製品:

  • 自動車

商品仕様、各種認証情報、在庫のご確認、部品のご注文は以下をご覧ください

Catalog #TYP BVCES@IC (V)ICmax (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD ModelsStockSamples
カタログ番号TYP BVCES@IC (V)IC 最大(A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PD最大
(W)
パートナー ECAD モデル在庫サンプル
LGD18N40ATH 400181.8400115LGD18N40ATH Check注文
品番 部品名 RoHS 鉛フリー RoHS (2015/ 863/EU) 認証 REACH (SVHC) 適合証明書 ハロゲンフリー REACH (SVHC) IPC 材料宣誓書
LGD18N40ATH DPAK, IGBT3 なし 11/10/2020 なし 11/10/2020 CoC_RoHS9_LGD18N40ATH Yes
11/10/2020
IPC_LGD18N40ATH
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