IXTH120N20X4 - X4-Class シリーズ

シリーズ: X4-Class
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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ TO-247-3L
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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

新製品の 200V X4クラス ウルトラジャンクション MOSFET は、公称定格電流 120A 、TO-247 パッケージでの提供となります。このパワーMOSFETは、従来の X3-Class と比較して、チャネル抵抗 RDS(on) が大幅に低減され、性能指数(FOM) RDS(on) x RthJC の改善につながっていることを特長とします。これらのメリットを生かして、設計者はシンプルな熱設計で効率向上を達成できます。

特長:

  • TO-220 で最も低いオン状態抵抗:RDS(ON) = 9.5mΩ
  • 低熱抵抗 RthJC = 0.36K/W
  • 低ゲート電荷 Qg = 108nC
  • 動作ジャンクション温度 175°C
メリット:
  • 低い静的損失
  • 簡素化された熱設計
  • ゲート駆動の低電力需要

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