Multi-Chip Configurations シリーズ - 600V N チャネル スーパージャンクションパワー MOSFET ソリューション(バック / ブースト / その他の構成)

シリーズ: Multi-Chip Configurations
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リテルヒューズ ディスクリート MOSFET マルチチップ構成 画像
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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

スーパージャンクション技術を基にしたこのパワー MOSFET は、600V-800V クラス MOSFET で最も低い RDS(on) を特徴とします。内部に DCB 絶縁を備えているので組み立ても簡単な上に、ジャンクションからヒートシンクまでの熱抵抗も軽減されます。アバランシェ定格を備え、過酷な動作にも対応します。

特長:

  • シリコンチップ搭載 DCB 基板
  • 第 4 世代 高速 CoolMOS™(1) パワー MOSFET
  • 全体の出力密度を強化
  • HiPerDyn™ FRED

アプリケーション:

  • スイッチモード電源
  • 無停電電源装置
  • 力率補正 (PFC)

メリット:

  • 簡単な組み立て
  • 省スペース
  • 高出力密度
  • 高信頼性


(1) CoolMOS™ は Infineon Technologies AG の商標です。

商品仕様、各種認証情報、在庫のご確認、部品のご注文は以下をご覧ください

Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)VISOL,RMS (V)Check StockPart DatasheetPartner ECAD ModelsStockCompare
 
カタログ番号VDSS (V)RDS(ON)、最大値 @ 25 ℃ (Ω)ID, cont @ 25 ℃ (A)ゲート電荷 (nC)RthJC (K/W)構成パッケージタイプCISS (pF)trr、TYP (ns)PD (W)VISOL、RMS (V)在庫の確認データシートパートナー ECAD モデル在庫比較する
 
FDM15-06KC5 6000.16515401.1バックISOPLUS i4-PAC™20003902500ありPart FDM15-06KC5確認
FDM47-06KC5 6000.045471500.45バックi4-Pac68006002500ありPart FDM47-06KC5確認
FMD15-06KC5 6000.16515401.1ブーストi4-Pac20003902500ありPart FMD15-06KC5確認
FMD40-06KC 6000.07382500.45ブーストi4-Pac68002802500ありPart FMD40-06KC確認
FMD47-06KC5 6000.045471500.45ブーストi4-Pac68006002500ありPart FMD47-06KC5確認
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