N-Channel Depletion-Mode MOSFETs シリーズ -

外観全体画像
マウスオーバーで拡大
免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

デプレッションモード MOSFET デバイス

当社の N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ(FET)は、独自の第 3 世代縦型 DMOS プロセスを採用し、世界最高水準の高電圧 MOSFET 性能を安価なシリコンゲートプロセスで実現しています。縦型 DMOS プロセスは、高入力インピーダンスの高電力用アプリケーションに適した堅牢なデバイスを可能にします。これらの高信頼性 FET デバイスは、工業用および通信用アプリケーション用の当社のソリッドステートリレーに広く使用されています。


特長

  • 非通電時、常時閉
  • 低 V GS(off) 電圧
  • 高入力インピーダンス

商品仕様、各種認証情報、在庫のご確認、部品のご注文は以下をご覧ください

Catalog #BVDSX (V)RDS(on) (Ω)VGS(off)_min (V)VGS(off)_max (V)IDSS_min (mA)Package TypePart DatasheetPartner ECAD ModelsStockSamplesCompare
 
カタログ番号BVDSX(V)RDS(on)(&Ω;)VGS(off)_min(V)VGS(off)_max(V)IDSS_min(mA)パッケージタイプデータシートパートナー ECAD モデル在庫サンプル比較する
 
CPC3701 601-1.4-3.1600SOT-89Part CPC3701確認 Order
CPC3703 2504-1.6-3.9360SOT-89Part CPC3703確認 Order
CPC3708 35014-2-3.6130SOT-89, SOT-223Part CPC3708確認 Order
CPC3710 25010-1.6-3.9220SOT-89Part CPC3710確認 Order
CPC3714 35014-1.6-3.9240SOT-89Part CPC3714確認 Order
CPC3720 35022-1.6-3.9130SOT-89Part CPC3720確認 Order
CPC3730 35035-1.6-3.9140SOT-89Part CPC3730確認 Order
CPC3902 2502.5-1.4-3.1400SOT-223Part CPC3902確認 Order
CPC3909 4006-1.4-3.1300SOT-89, SOT-223Part CPC3909確認 Order
CPC3960 60044-1.4-3.1100SOT-223Part CPC3960確認 Order
CPC3980 80045-1.4-3.1100SOT-223Part CPC3980確認 Order
CPC3981 80045-1.4-3.1100SOT-223-2LPart CPC3981確認 Order
CPC3982 800380-1.4-3.120SOT-23Part CPC3982確認 Order
製品環境情報を請求される場合は、製品環境情報リクエストフォームをご利用ください。