IXFH50N80XA - ウルトラジャンクション X クラスシリーズ

シリーズ: Ultra Junction X-Class
在庫状況: 製造中止

製造中止

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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ ISO247 3 H 2Sq 1W2N 3L 画像
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IXFH50N80XAデバイスは、電荷補償原理と独自のプロセス技術により、抵抗RDS(on)とゲート電荷Qg.を大幅に低減したパワーMOSFETとして開発されました。オン状態抵抗が低いため伝導の損失が下がり、出力キャパシタンスに貯蔵されたエネルギーが低下するとともに、スイッチング損失が最小限に抑えられます。ゲート電荷が低いため軽負荷時の効率が向上し、ゲート駆動要件も低くなります。さらに、これらの MOSFET はアバランシェ定格で、優れた dv/dt パフォーマンスを発揮します。また、オン状態抵抗の正温度係数により並列での動作が可能で、より高い電流要件にも対応できます。

特長:

  • 国際スタンダード対応パッケージ
  • 高電圧パッケージ
  • 低い RDS(ON) および QG
  • アバランシェ定格
  • 低パッケージインダクタンス

メリット:

  • 高出力密度
  • 簡単な取り付け
  • 省スペース

アプリケーション:

  • スイッチモード電源、共振モード電源
  • DC-DC コンバータ
  • PFC 回路
  • AC / DC モーター駆動
  • ロボットおよびサーボ制御

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