IXXH30N65C4D1 - トレンチシリーズ

シリーズ: Trench
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製造中止

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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ TO-247 3 H 2Sq 1W2N 3L 画像
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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

独自のXPT™薄型ウエハー技術と最先端のトレンチIGBTプロセスを用いて開発されたこのデバイスは、熱抵抗の低減、低エネルギー損失、高速切換え、低テール電流、高電流密度などの特徴があります。さらに、短絡回路状態 10µs の短絡回路安全動作領域(SCSOA)で非常に優れた耐久性を発揮します。

これらのIGBTは、正方形の逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を持ち、ブレークダウン電圧が650Vであるため、スナバレスのハードスイッチングアプリケーションに最適です。その他の特長として、コレクタ - エミッタ間電圧温度係数が正の値であるため、設計者は複数のデバイスを並列に使用して高電流の要件を満たすことができます。また、低いゲート電荷も、ゲート駆動の要件とスイッチング損失の低減に役立ちます。

特長:

  • 低Vcesat、低Eon/Eoff
  • 10kHz~60kHzの中~高程度のスイッチング周波数に最適
  • 高いサージ電流容量と短絡能力
  • 正方形の逆バイアス安全動作領域(RBSOA)
  • VCE(sat) 正温度係数

アプリケーション:

  • 充電器
  • 照明用バラスト
  • モータードライブ
  • 電力インバータ
  • 溶接機械

メリット:

  • ハードスイッチング性能
  • 高い電力密度
  • ダイオード順方向電圧の温度安定性を備えたソニックダイオード
  • 低いゲート駆動要件
     
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