IXGT25N250 - 超高電圧シリーズ

シリーズ: Very High Voltage
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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ TO-268 3 1S2C 画像
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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

NPT IGBT は、正方形の RBSOA と 10 µs の短絡耐性を備えています。Vce(SAT) が正の温度係数であることから、並列化にも理想的です。このためモーター駆動アプリケーションに適しています。

この IGBT を使用すると、カスケード接続した複数の低電圧スイッチを使用した回路のシステムに、単一のデバイスを使用することができます。デバイスを統合することにより、電力デバイスの数が減ると同時に、複雑な駆動部品や電圧バランス部品が不要となり、コストと効率が高まります。回路に高電圧 SCR を使用していたシステムでは、VHV IGBT を使用することで、設計者は信号変調スキームを容易に実装できる真のスイッチを使い、効率の改善、波形整形の簡素化、負荷遮断を可能にしてシステムの安全性を向上することができます。従来の高電圧 EMR や放電リレーと置き換えることも可能なため、システムの複雑さを軽減し、全体的な信頼性アップにつながります。

特長:

  • 高ブロック電圧
  • 高ピーク電流容量
  • 高出力密度
  • 低飽和電圧
  • 国際規格と独自の ISOPLUSTM パッケージ

アプリケーション: 

  • パルサー回路
  • コンデンサ放電回路
  • 高電圧電源
  • 高電圧テスト装置
  • レーザー、X 線発生装置
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