MOS Gated Thyristor シリーズ - MOSゲートサイリスタ

シリーズ: MOS Gated Thyristor
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リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

  • 高出力パルスおよび容量放電アプリケーション用設計 
  • ゲート端子(MOS構造)で電圧がかかった際にスイッチオン 
  • 1 マイクロ秒間に最大で 32kA の電流を流すことが可能です。 
  • 高い電力密度 
  • 低いゲート駆動要件
  • 独自のパッケージで提供可能:製品ラインの基本情報(1500V MOSゲートサイリスタ) 
    • 表面実装型SMPDおよび小型SMPD
    • 国際規格TO-247の高圧バージョン:TO-247HVおよびTO-247PLUS-HV 

商品仕様、各種認証情報、在庫のご確認、部品のご注文は以下をご覧ください

Catalog #StatusVDM(V)ITSM 1μs TC = 25°C (kA)ITSM 10μs TC = 25°C(kA)VT (V)rT (mOhm)Qg(on) (nC)tri TC = 25°C (ns)VGK(th) (V)Co-pack DiodePackage TypePart DatasheetSamplesCompare
 
カタログ番号状態VDM(V)ITSM 1μs TC = 25°C (kA)ITSM 10μs TC = 25°C(kA)VT (V)rT(mOhm)Qg(on) (nC)tri TC = 25°C (ns)VGK(th) (V)同一パックダイオードパッケージタイプデータシートサンプル比較する
 
IXHH40N150HV Active15007.63.57.51.2991005なしTO-247HVPart Order
IXHX40N150V1HV Active15007.63.57.51.2991005ありTO-247 PLUS-HVPart
MMIX1H60N150V1 Active15003211.87.51.21801005ありSMPDPart Order
MMJX1H40N150 Not for New Designs150015.56.461.2991005なしSSMPDPart
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