IXBA12N300HV - 超高電圧シリーズ

シリーズ: Very High Voltage
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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ TO-263HV 2 2C 画像
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BiMOSFET は、MOSFET と IGBT の長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用した BiMOSFET は、優れた製品に仕上がっています。これらの高圧機器は、飽和電圧と内部ダイオードの順方向電圧降下の両方について電圧温度係数が正であるため、並列処理に適しています。さらに、この「自由な」内部ボディダイオードが保護ダイオードとして機能し、機器がオフの状態の間は誘導負荷電流の迂回経路を提供するとともに、高い Ldi/dt 電圧過渡により機器が損傷することを防ぎます。

特長:

  • 「自由な」内部ボディダイオード
  • 高出力密度
  • 高周波数での動作
  • 低伝導損失
  • MOS ゲートのターンオンでドライブを簡素化
  • 4000V の電気的絶縁

メリット:

  • 低いゲート駆動要件
  • 省スペース化(複数の低電圧、低電流用機器の直列 - 並列配置が不要)
  • 容易に実装可能

アプリケーション:

  • スイッチング電源および共振モード電源
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • レーザーおよび X 線発生装置
  • コンデンサ放電回路
  • 高圧パルサー回路
  • 高電圧テスト装置
  • AC スイッチ
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