IXBR42N170 - 高電圧シリーズ

シリーズ: High Voltage
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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ PLUS247 3 2Sq 1W2N 3L 画像
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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

BiMOSFET は、MOSFET と IGBT の長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用した BiMOSFET は、優れた製品に仕上がっています。これらの高圧機器は、飽和電圧と内部ダイオードの順方向電圧降下の両方について電圧温度係数が正であるため、並列処理に適しています。さらに、この「自由な」内部ボディダイオードが保護ダイオードとして機能し、機器がオフの状態の間は誘導負荷電流の迂回経路を提供するとともに、高い Ldi/dt 電圧過渡により機器が損傷することを防ぎます。

特長:

  • 高ブロック電圧
  • 高出力密度
  • 高電流対応
  • 低伝導損失
  • MOS ゲートのターンオンでドライブを簡素化
  • 国際規格と独自の ISOPLUSTM パッケージ

メリット:

  • 複数の低電圧、低電流用機器の直列 -
    並列配置が不要
  • よりシンプルなシステム設計
  • 信頼性の向上
  • コンポーネント数の削減
  • システムコストの削減

アプリケーション:

  • レーダー送信機電源
  • レーダーパルス変調器
  • コンデンサ放電回路
  • 高電圧電源
  • AC スイッチ
  • HV 回路ブレーカー
  • パルサー回路
  • 高電圧テスト装置
  • レーザー、X 線発生装置
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