Low-Side Driver with Charge Pump シリーズ - 負電圧チャージポンプ付き超高速ローサイド SiC-MOSFET および IGBTドライバ

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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

IX4351NE は、SiC-MOSFET と高電力用 IGBT の駆動に特化して設計されています。9A ソースおよびシンク出力により、スイッチング損失を最小限に抑えながら、ターンオン、ターンオフのタイミングを調整することができます。また、負電荷レギュレータを内蔵し、ゲート駆動バイアスを負にすることで、dV/dt 耐性とターンオフの高速化を可能にしています。

脱飽和検出回路は、SiC-MOSFET の過電流状態を検出し、ソフトターンオフを開始することで、潜在的に有害な dV/dt 事象を防止することができます。ロジック入力は TTL と CMOS の互換性があり、ゲートドライブバイアス電圧が負の場合でもレベルシフトする必要はありません。保護機能として、UVLO およびサーマルシャットダウン検出機能を備えています。また、FAULT 出力はオープンドレインで、マイコンに故障を通知します。

IX4351NE は、動作温度範囲 -40°C~+125°C に対応し、熱対策済みの 16-ピン狭小 SOIC パッケージで提供されます。


特長

  • 立ち上がり時間、立ち下がり時間のマッチング
  • 低伝搬遅延
  • 広い動作電圧範囲

商品仕様、各種認証情報、在庫のご確認、部品のご注文は以下をご覧ください

Catalog #Drive Current (Apeak)Output Resistance Source / Sink (Ω)Logic ConfigurationsEnable FunctionUnder Voltage Lockout Maximum Threshold (V)Package TypePart DatasheetPartner ECAD ModelsStockSamplesCompare
 
カタログ番号駆動電流(Aピーク出力抵抗ソース/シンク(&Ω;)ロジックコンフィギュレーションイネーブル機能低電圧誤動作防止最大閾値(V)パッケージタイプデータシートパートナー ECAD モデル在庫サンプル比較する
 
IX4351NE 92 / 1.5非反転型なし1016-pin power SOIC with exposed thermal padPart IX4351NE確認 Order
IX4352NE 92 / 1.5非反転型なし1016-pin power SOIC with exposed thermal padPart IX4352NE確認 Order
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