LSIC1MO170E0750 シリーズ - LSIC1MO170E0750 1700 V、750 mOhm N チャネル SiC MOSFET

シリーズ: LSIC1MO170E0750
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リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

リテルヒューズの 1700V、750mOhm シリコンカーバイド(SiC)MOSFET は、補助電源を主な対象に、1700V の電圧範囲における SiC 高速切替および省エネ性能を提供します。MOSFET は、最近新たに加わった電源とゲートピン間のクリアランスが大きい TO-268-2L オプションを含む、3 種類のディスクリートパッケージで提供されます。TO-268-7L オプションはソースピンが個別に分かれており、それによってソースからドライバへの寄生インダクタンスを大幅に抑えることで、高電力用アプリケーションでの効率向上を実現しています。動作時の最高接合部温度は 175 ºC です。

特長:

  • オンステート抵抗 RDS(ON) 750mΩ (typ)
  • ゲート抵抗 29Ω typ.
  • 継続的なドレイン電流 ~100°C で 4.4A
  • 逆ダイオード電流 25°C で 9A(連続)
  • 動作温度 ジャンクション - 最高 175°C

アプリケーション:

  • 補助電源
  • エネルギー生成・貯蔵
  • トラクション
  • 工業用 SMPS およびドライブ
  • EV DC 充電器

商品仕様、各種認証情報、在庫のご確認、部品のご注文は以下をご覧ください

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)TJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
カタログ番号定格電圧 (V)通常オン抵抗 (mOhm)定格電流 (A)ゲート電荷 (nC)構成駆動電圧 (V)スイッチングエネルギー (uJ)最大 TJ (°C)在庫の確認パートナー ECAD モデル在庫サンプル
LSIC1MO170E0750 17007504.413Nチャネル20/-5113175ありLSIC1MO170E0750 Check注文
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