LSIC1MO120G0120 シリーズ - LSIC1MO120G0120 1200 V、120 mOhm N-チャネル SiC MOSFET

シリーズ: LSIC1MO120G0120
リテルヒューズ サポートへのお問い合わせ
リテルヒューズ シリコンカーバイド LSIC1MO120G0xxx 画像
マウスオーバーで拡大
免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

リテルヒューズの SiC MOSFET には、14A、18A、25A、50A、70A の公称定格電流があり、 ケルビンソース接続の TO-14-18L パッケージで提供されます。ピン配列によるシンプルな PCB ルーティングに加え、ケルビンソース接続によるゲート駆動回路の漂遊インダクタンス削減により、 効率や EMI 動作、スイッチングの性能が向上します。
MOSFET はゲート酸化膜の信頼性が高く、スイッチング性能が最適化されています。 

特長:

  • 正温度係数
  • 最大動作接合部温度 175ºC 
  • 高速かつ低損失のスイッチング、高周波スイッチング用に最適化された MOSFET
  • 逆回復電流がほぼゼロの SiC ダイオード
  • 専用のケルビンソース接続
  • 低 RthJC 

アプリケーション:

  • PFC もしくは DC/DC ステージでダイオードをブースト
  • スイッチモード電源
  • 無停電電源装置
  • 太陽光インバーター
  • EV 充電ステーション

商品仕様、各種認証情報、在庫のご確認、部品のご注文は以下をご覧ください

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)TJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
カタログ番号定格電圧 (V)通常オン抵抗 (mOhm)定格電流 (A)ゲート電荷 (nC)構成駆動電圧 (V)スイッチングエネルギー (uJ)最大 TJ (°C)在庫の確認パートナー ECAD モデル在庫サンプル
LSIC1MO120G0120 12001201863Nチャネル20/-5108175ありLSIC1MO120G0120 Check注文
製品環境情報を請求される場合は、製品環境情報リクエストフォームをご利用ください。