LGB18N40ATH シリーズ - 点火 IGBT、N-チャンネル、18 A、400 V

シリーズ: LGB18N40ATH
パワーセミコンダクタ D2PAK 画像
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免責事項

リテルヒューズの製品は、所定のリテルヒューズ製品文書に明記した用途で使用することを目的として設計されており、それ以外の用途を目的としたものではありません。製品文書にない用途でのご使用はお控えください(自動車関連、軍関連、航空宇宙産業、医療、救命、生命維持、原子力施設、人体への外科的移植用器具のほか、製品が所望の稼働状態にならないことによって怪我、死亡、物的損害を招く恐れのあるアプリケーションすべてを含みますが、これらに限定されません)。該当するリテルヒューズの文書にない用途で製品を使用された場合、リテルヒューズの保証は無効となります。リテルヒューズは、該当するリテルヒューズの文書に明記されていない用途で使用された製品に関する申し立て、および損害に対して責任を負いかねます。リテルヒューズとの特段の合意がない限り、リテルヒューズの製品の販売および使用にはリテルヒューズ販売契約条件が適用されます。「リテルヒューズ」とは、Littelfuse, Inc. およびそのすべての関連法人の総称です。

この論理レベル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケーションに利用されます。主に点火や直接燃料噴射、または高電圧や高電流でのスイッチングが必要な箇所で使用されます。

特長:

  • コイルオンプラグのアプリケーションに最適
  • 非クランプ誘導性スイッチング(UIS)の面積当たりエネルギーを強化する新しい設計
  • 温度補償ゲートコレクタ電圧クランプが負荷応力を制限
  • 統合ゲートエミッタ ESD 保護
  • 論理レベルのマイクロプロセッサデバイスの電源負荷に対する低い閾値電圧
  • 低飽和電圧
  • 高いパルス電流対応能力
  • ゲート抵抗およびゲート - エミッタ抵抗をオプションで選択可能

アプリケーション:

  • 点火システム

最終製品:

  • 自動車

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Catalog #TYP BVCES@IC (V)ICmax (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD ModelsStockSamples
カタログ番号TYP BVCES@IC (V)IC 最大(A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PD最大
(W)
パートナー ECAD モデル在庫サンプル
LGB18N40ATH 400181.8400115LGB18N40ATH Check注文
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