IXBH5N160G - 高電圧シリーズ

シリーズ: High Voltage
在庫状況: 新規設計用ではありません

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リテルヒューズ パワーセミコンダクタ TO-247 3 H 2Sq 1W2N 3L 画像
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BiMOSFET は、MOSFET と IGBT の長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用した BiMOSFET は、優れた製品に仕上がっています。これらの高圧機器は、飽和電圧と内部ダイオードの順方向電圧降下の両方について電圧温度係数が正であるため、並列処理に適しています。さらに、この「自由な」内部ボディダイオードが保護ダイオードとして機能し、機器がオフの状態の間は誘導負荷電流の迂回経路を提供するとともに、高い Ldi/dt 電圧過渡により機器が損傷することを防ぎます。

特長:

  • 高ブロック電圧
  • 高出力密度
  • 高電流対応
  • 低伝導損失
  • MOS ゲートのターンオンでドライブを簡素化
  • 国際規格と独自の ISOPLUSTM パッケージ

メリット:

  • 複数の低電圧、低電流用機器の直列 -
    並列配置が不要
  • よりシンプルなシステム設計
  • 信頼性の向上
  • コンポーネント数の削減
  • システムコストの削減

アプリケーション:

  • レーダー送信機電源
  • レーダーパルス変調器
  • コンデンサ放電回路
  • 高電圧電源
  • AC スイッチ
  • HV 回路ブレーカー
  • パルサー回路
  • 高電圧テスト装置
  • レーザー、X 線発生装置
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