LSIC1MO120E0120 シリーズ - 強化型 SiC MOSFET、1200 V、120 mOhm、Nチャンネル

シリーズ: LSIC1MO120E0120
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パワーセミコンダクタ シリコンカーバイド LSIC1MO120E0120 画像
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リテルヒューズのシリコンカーバイド (SiC) MOSFET LSIC1MO120E0120 1200 V は定格 1200 V、120 mOhm。TO-247-3L パッケージになっています。

特長:

  • 高周波 / 高効率のアプリケーション向けに最適化済み
  • 極めて低いゲート電荷と出力キャパシタンス
  • 高周波スイッチングを考慮した低ゲート抵抗
  • 全温度常時オフ仕様
  • 超低オン抵抗

アプリケーション:

  • 太陽光インバータ
  • スイッチモード電源
  • UPS
  • モータードライブ
  • 高電圧 DC/DC コンバータ
  • 誘導加熱

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Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)TJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
カタログ番号定格電圧 (V)通常オン抵抗 (mOhm)定格電流 (A)ゲート電荷 (nC)構成駆動電圧 (V)スイッチングエネルギー (uJ)最大 TJ (°C)在庫の確認パートナー ECAD モデル在庫サンプル
LSIC1MO120E0120 12001201880Nチャネル20/-5179150ありLSIC1MO120E0120 Check注文
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